买卖IC网 >> 产品目录 >> SI7252DP-T1-GE3 MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET datasheet RF/IF 和 RFID
型号：

SI7252DP-T1-GE3

库存数量：可订货
制造商：Vishay/Siliconix
描述：MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
RoHS：否
详细参数
参数
数值
产品分类 RF/IF 和 RFID >> MOSFET
描述 MOSFET 100V 17mOhm@10V 36.7A N-Ch MV T-FET
SI7252DP-T1-GE3 PDF下载
制造商 Vishay/Siliconix
晶体管极性 N-Channel
汲极/源极击穿电压 100 V
闸/源击穿电压 20 V
漏极连续电流 36.7 A
电阻汲极/源极 RDS（导通） 0.02 Ohms
配置 Dual
最大工作温度 + 150 C
安装风格 SMD/SMT
封装 / 箱体 PowerPAK SO-8
封装 Reel
相关资料
属性
链接
代理商 SI7252DP-T1-GE3
SI7270DP-T1-GE3
SI7272DP-T1-GE3
SI7288DP-T1-GE3
SI-7300
SI7300A
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  • SI7252DP-T1-GE3 参考价格
  • 价格分段 单价(美元) 总价
    1 3.146 3.146
    10 2.664 26.64
    100 2.18 218
    250 1.932 483
    3,000 1.504 4512
    6,000 0 0